据相关消息表明：中科院微电子所发布了最新消息，他们已经成功研制出国产光刻机，而这一举动引起了广泛关注，更是告别了“自嗨”。
而光刻机是集成电路制造过程当中极为重要的部分，也是其核心设备之一，主要用于半导体芯片上制造微小芯片的器件。
过去，我国的光刻机都是依赖国外进口，代表国产生产厂商良心的也不得不放弃同样高昂的国内市场，而此次，中科院微电子所的国产光刻机成功研制，代表着我国半导体产业自主创新进入新阶段。
什么是光刻机？
光刻机是一种用于制造集成电路（IC）和其他微纳米器件的关键设备。它通过使用光学投影技术将图案投射到光敏感的化学物质（称为光刻胶）上，然后通过一系列的化学和物理过程，将图案转移到半导体材料或其他基底上。
其工作原理是通过光源产生紫外线光束，并使用透镜和反射镜将光束聚焦到光刻胶层上。光刻胶对紫外光的敏感性使其在受到光照后发生化学反应，形成图案。这个图案通常是一个微小的重复结构，包含了IC芯片或其他微纳米器件的电路设计。
光刻机的精度非常高，能够实现微米甚至亚微米级别的图案制作。它在半导体制造和集成电路工业中扮演着至关重要的角色，因为它能够实现高度集成的微电子器件的制造。光刻机技术的不断进步也是推动集成电路技术快速发展的关键因素之一。
光刻机的历史进程以及发展过程
光刻机在发展的道路中也并非一帆风顺，同样经历了几个重要阶段以及历程的，具体如下：
1. 初期实验阶段（1960年代至1970年代）：光刻机的概念最早出现在20世纪60年代，当时研究人员开始探索使用光线投射图案到光敏感材料上的可能性。最早的光刻机采用了激光光源和光阻材料，但由于技术限制和材料特性的限制，精度和分辨率相对较低。
2. 紫外线光刻机的出现（1980年代）：20世纪80年代，随着半导体工业的快速发展，紫外线光刻机成为主流，而光刻机的使用波长短于可见光的紫外线光源，所以从这一点就能实现所谓更高的分辨率以及精准度，同时，光刻胶和光刻掩膜的改进也推动了光刻技术的进步。
3. 深紫外光刻机的引入（1990年代）：20世纪90年代，随着半导体器件的特征尺寸逐渐缩小，需要更高的分辨率和更短的波长来实现更高的集成度。
因此，深紫外光刻机是紫外线光刻机的升级版本，采用了更短的波长（如248纳米、193纳米），从而提高光刻机的分辨率，以及对图案的精准度。
4. 极紫外光刻机的研发项目是在（2000年代至今）：极紫外光刻机是目前最为先进的一种光刻技术，它使用的波长为13.5纳米的极紫外光源，从这一点来分析，会比深紫外光刻机的波长更短。