近年来，EUV光刻机因其更高分辨率、更高集成度以及更可靠的优点备受关注，很多知名企业都将其作为市场竞争的重点。然而，近期外媒的报道却让人们看到了一些不那么乐观的消息：EUV光刻机正在遭遇全球“弃之不顾”的困境。本文将深入分析EUV光刻机现状，阐述其存在的市场瓶颈和技术问题，以及展望未来行业发展，探讨EUV光刻机被抛弃的原因及其影响。
EUV光刻机的定义
EUV光刻机是一种能够实现比传统光刻技术更高分辨率的光刻机。相比传统的ArF光刻机，它可以提供更高的集成度、精度和可靠性。EUV光刻机利用极短波长（13.5纳米）的“极紫外波长”进行曝光，可以刻画更小的芯片元器件，有助于推进芯片行业的快速发展。
ASML公司的市场形势
ASML公司向来以EUV光刻机驰骋市场，然而目前EUV光刻机存在市场竞争力下降和成本问题等瓶颈。
市场竞争力下降：
ASML公司已经被全球众多芯片生产厂商采购。然而EUV光刻机作为一个百亿级别的市场，在已完全竞争下，ASML在该领域中不得不走向垄断，这意味着ASML面临着来自竞争压力的挑战。此外，实行垄断的ASML公司还面临着在公共安全问题上缺乏竞争的风险，这对行业的整体发展产生了一定的隐患。
成本问题：
EUV光刻机的成本问题是ASML所面临的严重问题之一，其价格昂贵，造成其使用成本较高。另外，EUV光刻机的先进生产工艺需要大量的真空技术，从而增加了维护和操作的复杂度，从而提高了生产成本。
交付问题：
ASML无法提供大量快速交付的新EUV工具，许多公司面临缺货和延迟交付情况。该问题主要起因于ASML公司许多组件都需要通过其他公司提供，这使得产销链条过于复杂，出现故障和延迟等问题时将难以解决。
EUV光刻机技术瓶颈
EUV电子束、离子束、多小点开窗技术的技术瓶颈限制了芯片生产工艺向更高集成度和更微小尺寸的发展。
技术瓶颈：
多年来，EUV技术的研究陷入了困境。EUV的某些技术已经限定了芯片生产工艺向更高集成度和更微小尺寸的发展。例如，EUV电子束和离子束光刻机发展受到了像投影镜面积小、光源功率不足、掩模材料损伤等问题的限制，多小点开窗技术研究也达到了一个瓶颈。
局限性原因：
EUV生产技术仍存在一系列局限性，包括镜面损伤和光源功率不足等问题。源功率不足导致光刻机能力达不到预期或周期时间过长，掩模材料损伤、投影镜焊接和加工疲劳等桎梏也限制了尺寸和光刻半导体元件的微细化。
EUV光刻机被抛弃的原因
EUV光刻机被抛弃的原因既有技术瓶颈等内部因素，也与整个半导体行业的发展趋势紧密相连。EUV光刻机被抛弃虽会对ASML公司带来一定的压力，但其也推动了技术竞争，并促使其他新兴技术得到普及。
