英特尔将于今年率先引入下一代 High-NA EUV 光刻机

 

    IT之家 10 月 2 日消息，英特尔上周表示，它已经开始在价值 185 亿美元的爱尔兰工厂使用 EUV 光刻机进行大规模生产，并称其为“里程碑时刻”。

英特尔技术开发总经理安・凯勒赫（Ann Kelleher）表示，英特尔将于今年率先引入下一代高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机，而此前英特尔曾表示 High-NA 技术在 18A 节点上仅用于设备开发和验证，并将在 18A 之后的节点上正式投产。

这家美国公司表示，有了 High-NA EUV 光刻机，理论上可以在英特尔实现其“四年五代工艺”的路上发挥关键作用。

安・凯勒赫表示，他们目前正按计划实现这一目标，现已完成两个制造工序，而第三个工序“正在迅速到来”，而且最后两个工序都取得了非常好的进展。

英特尔将于今年率先引入下一代 High-NA EUV 光刻机

图源 Pixabay
ASML 首席执行官 Peter Wennink 上个月在接受路透社采访时表示，尽管供应商出现了一些阻碍，但公司仍会按照此前设定的计划，在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。

凯勒赫说，英特尔预计今年晚些时候将在俄勒冈州收到首批 High-NA EUV 光刻机，而且英特尔将是首个获得这款机器的芯片制造商。

ASML 表示，一台 High-NA EUV 设备的体积和卡车相当，每台设备超过 1.5 亿美元（IT之家备注：当前约 10.95 亿元人民币），可以满足各类芯片制造商的需求，可以在未来十年内制造更小、更先进的芯片。

英特尔将于今年率先引入下一代 High-NA EUV 光刻机

目前，最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺，下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术，而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说，它们大都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，可提供 13 nm 分辨率。

目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30 nm（超过 5 nm 级的节点）到来，13 nm 分辨率可能需要双重曝光技术，这是未来几年内的主流方法。

对于后 3nm 时代，ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列，该系列机器将具有 0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达 8nm，从而在 3 nm 及以上节点中尽可能减少工序，降低成本并提供良率。

英特尔将于今年率先引入下一代 High-NA EUV 光刻机

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